【摘 要】
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离子注入的动向典型的ＣＭＯＳ工艺大约要用十多个离子注入步骤来形成隔离阱、源／漏、沟道－截断、阈值电压调整、通孔截断和Ｐ－沟和Ｎ－沟ＭＯＳ晶体管的其他掺杂区。这些步骤和相关掩蔽工艺、屏蔽氧
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离子注入的动向典型的ＣＭＯＳ工艺大约要用十多个离子注入步骤来形成隔离阱、源／漏、沟道－截断、阈值电压调整、通孔截断和Ｐ－沟和Ｎ－沟ＭＯＳ晶体管的其他掺杂区。这些步骤和相关掩蔽工艺、屏蔽氧化物生长以及栅迭层形成等涉及到晶片加工线前部许多工艺。最常用的注...
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自本刊在今年第6期刊登出举办“钓王杯·钓鲫高手赛”的比赛通知和比赛章程后,本刊编辑部就不断接收到各地钓友的电话、信函,这其中有咨询的,有报名的,还有“套近乎拉关系”