【摘 要】
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为保证SiC MOSFET在三电平拓扑中应用的可靠性,需对其进行过电压与过电流保护。该文针对短路导致的过电压情况,提出在中点钳位(NPC)拓扑中加入大电容值飞跨电容的方法,并结合
【机 构】
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可再生能源接入电网技术国家地方联合工程实验室（合肥工业大学）,合肥阳光电源有限公司
【基金项目】
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国家自然科学基金联合基金资助项目(U1766207)
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为保证SiC MOSFET在三电平拓扑中应用的可靠性,需对其进行过电压与过电流保护。该文针对短路导致的过电压情况,提出在中点钳位(NPC)拓扑中加入大电容值飞跨电容的方法,并结合短路保护,保证发生短路故障时SiC MOSFET不过电压损坏,且能快速保护关断,以减小过电流风险。通过搭建短路测试平台,验证了三电平电路发生短路故障时,大电容值飞跨电容对SiC MOSFET起到过电压保护作用,且SiC MOSFET的短路保护时间在2μs以内。
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