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利用直流磁控反应溅射铟锡合金靶和锌合金钯，在软基片上低温沉积了Ｉｎ２Ｏ３：Ｓｎ（ＩＴＯ）和ＺｎＯ：Ａｌ（ＺＡＯ）透明电薄膜。结果表明，ＩＴＯ和ＺＡＯ薄膜均出现晶格畸变；柔性基片上低温沉积薄膜的电阻率对氧分压的依赖性远低于硅和玻璃衬底；尺度效应对薄膜电阻率有重要的影响。
柔性基片上In2O3：Sn和ZnO：Al薄膜的制备及其电学和光学特性
【摘 要】
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利用直流磁控反应溅射铟锡合金靶和锌合金钯，在软基片上低温沉积了Ｉｎ２Ｏ３：Ｓｎ（ＩＴＯ）和ＺｎＯ：Ａｌ（ＺＡＯ）透明电薄膜。结果表明，ＩＴＯ和ＺＡＯ薄膜均出现晶格畸变；柔性基片上低温沉积薄膜的电阻率对氧分压的依赖性远低于硅和玻
【机 构】
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中国科学院金属研究所,１１００１５
【出 处】
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金属学报
【发表日期】
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1999年4期
【基金项目】
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沈阳市科技攻关项目
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