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采用硅离子注入工艺对注氧隔离（SIMOX）材料进行改性，在改性材料和标准SIMOX材料上制作了部分耗尽环型栅CMOS／SOI反相器，并对其进行^60Coγ射线总剂量辐照试验。结果表明，受到同样总剂量辐射后，改性材料制作的反相器与标准SIMOX材料制作的反相器相比，转换电压漂移小的多，亚阈漏电也得到明显改善，具有较高的抗总剂量辐射水平。