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以三叶一心期的黄瓜品种‘津春4号’(耐热)为试材,研究其在高温(处理I35℃/20℃、II42℃/27℃,光照强度350μmol·m~(-2)·s~(-1))胁迫1、3、5 d及恢复2d后的某些光合特性和PSⅡ光化学活性。变化的结果表明:高温胁迫下黄瓜幼苗的净光合速率(P_n)、气孔导度(G_s)显著下降;叶绿素荧光参数,F_v/F_m、Φ_(psⅡ)与q_p均下降,而NPQ上升;恢复2d后35℃/ 20℃下的各项指标均有所恢复,但仍不能恢复到未作高温处理的水平,而42℃/27℃下的各项指标比恢复前