高Pr/低Pr栅FFET漏极电流与铁电材料特性的关系

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分析了对铁电场效应晶体管漏极电流特性有影响的铁电材料参数,设计了具有单层和双层栅介质结构的铁电场效应晶体管,并进行了仿真研究.仿真结果表明:具有高Pr/低Pr栅介质结构的铁电场效应晶体管在饱和极化后,其极化前后输出漏极电流差最大,有利于存储信号的分辨,提高电路的效率.通过改变该结构中低Pr层的Pr,Ec等铁电材料参数,发现在3~4 V间饱和极化,该结构的铁电场效应晶体管的漏极电流输出特性比较稳定,减小了对材料、工艺、P5/Pr及Ec的依赖性和敏感性,具有易于制造和便于电路设计的优点.
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