【摘 要】
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随着半导体工艺的不断进步,芯片线宽越来越小,RC延迟成为制约集成电路性能进一步提高的关键性因素。低K工艺技术的出现虽然解决了RC延迟问题,但它为后续的封装工艺却带来以下
【机 构】
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北京中电华大电子设计有限责任公司,射频识别芯片检测技术北京市重点实验室
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随着半导体工艺的不断进步,芯片线宽越来越小,RC延迟成为制约集成电路性能进一步提高的关键性因素。低K工艺技术的出现虽然解决了RC延迟问题,但它为后续的封装工艺却带来以下问题:即由于材料本身的特性(与金属层较弱的粘结力,较弱的机械强度),如果采用金刚石双刀切割工艺,很容易在金属层与内层介电层(Innerlayerdielectric,ILD)层之间产生分层或剥离的现象。所以,探索新的晶圆切割方法对低K工艺技术的引入显得越来越重要。本文介绍一种低K工艺产品分层问题的解决方案。
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