GaAs/Si(100)异质外延4 偏角衬底对外延层结晶质量的提高

来源 :功能材料与器件学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:xiazaisun
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用低压金属有机物化学汽相沉积法(MOCVD)在Si(100)无偏角和Si(100)4°偏角衬底上外延生长GaAs层.异质外延采用两步生长法,并分别优化了两种衬底上的非晶低温缓冲层的生长条件.用X射线双晶衍射(XRD)和透射电子显微镜(TEM)对两种衬底上的GaAs外延层进行了结构表征,其中Si(100)4°偏角衬底上1.8μm厚GaAs的(004)面XRD衍射半高全宽338 arcsec,同比在无偏角衬底上的半高全宽为494arcsec,TEM图片显示4°偏角衬底上外延层中的位错密度大大降低.
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