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本文对制备时衬底温度不同的辉光放电沉积a-Si样品在超短光脉冲作用下的瞬态光电导进行研究,响应时间与样品缺陷态密度的关系表明a-Si中光生电流衰减的机制是缺陷态对光生载流子的俘获。与化学气相沉积a-Si和进口硅PIN快速光电探测器的瞬态响应实验结果的比较说明,a-Si的瞬态响应稳定性好。
超短光脉冲作用下非晶硅的瞬态光电导
【摘 要】
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本文对制备时衬底温度不同的辉光放电沉积a-Si样品在超短光脉冲作用下的瞬态光电导进行研究,响应时间与样品缺陷态密度的关系表明a-Si中光生电流衰减的机制是缺陷态对光生载
【机 构】
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华侨大学应用物理系,华侨大学应用物理系
【出 处】
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高速摄影与光子学
【发表日期】
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1991年1期
【基金项目】
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国家自然科学基金
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