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采用C2H2和N2的混合气体在单晶Si衬底上用射频-直流等离子化学气相沉积法制备a-C:H(N)薄膜,用Fourier红外谱研究了a-C:H(N)薄膜的结构。用慢正电子湮没技术研究了类金刚石薄膜中缺陷的深度分布以及N的百分含量对薄膜中缺陷浓度和缺陷类型的影响。Fourier红外测试结果表明,a-C:H(N)薄膜中氮含量随混合气体中N2百分含量的升高而增大,薄膜中碳氮原子形成C≡N键。慢正电子分析表