【摘 要】
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采用0.18μm CMOS SOI工艺设计制作了一种集成控制模块的微波单刀双掷开关。开关控制模块包含了低压差线性稳压器和负电压电荷泵,低压差线性稳压器将外部供电高电压转换为开
【机 构】
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中科院上海微系统与信息技术研究所,
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采用0.18μm CMOS SOI工艺设计制作了一种集成控制模块的微波单刀双掷开关。开关控制模块包含了低压差线性稳压器和负电压电荷泵,低压差线性稳压器将外部供电高电压转换为开关电路低电压,负电压电荷泵产生一个负压,用以改善开关的性能。制作的SOI开关具有良好的性能,芯片测试表明,开关导通状态下从DC到9 GHz范围内插损小于1.7 d B,关断状态下隔离度大于28.5 d B,回波损耗小于-15 d B,开关开启时间为1.06μs。芯片的尺寸为0.87 mm×1.08 mm。
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