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利用记忆函数方法研究了抛物量子点中的光电导，并导出了光电导的解析表达式．以典型的GaAs／Ga1-xAlxAs抛物量子点为例作了数值计算，结果表明，在弱耦合区域，随着抛物势频率的增加，光电导会随之增强，而在强耦合区域，光电导会随之减弱；在弱耦合区域，随着抛物势频率的增加，光电导峰会向左漂移，而且抛物势频率越大，光电导曲线越不对称；考虑了激子效应后的光电导比未考虑激子效应的光电导大了10％以上．