【摘 要】
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在半导体照明工程中采用〈511〉晶向GaAs抛光片作为衬底材料进行外延生长制作LED器件。根据〈511〉晶向GaAs单晶的晶格结构特性,在晶片的生产加工过程中采用多步工艺进行其主
【机 构】
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中国电子科技集团公司第四十六研究所
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在半导体照明工程中采用〈511〉晶向GaAs抛光片作为衬底材料进行外延生长制作LED器件。根据〈511〉晶向GaAs单晶的晶格结构特性,在晶片的生产加工过程中采用多步工艺进行其主次参考面的确定,通过采取理论分析和微观观察及X射线衍射测试的方法,互相对照,共同确定GaAs单晶的主次参考面的位置。单晶主次参考面的确定是整个晶片加工工艺链中的关键工艺,对提高生产效率、批量化生产具有很大的实用性。
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