【摘 要】
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氧化锌(ZnO)是一种具有六方结构的宽禁带Ⅱ-Ⅵ族半导体材料,室温下能带带隙Eg为3.37eV.由于氧化锌在室温条件下具有较高的激子束缚能(60meV),保证了其在室温下较强的激子发光
【机 构】
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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
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氧化锌(ZnO)是一种具有六方结构的宽禁带Ⅱ-Ⅵ族半导体材料,室温下能带带隙Eg为3.37eV.由于氧化锌在室温条件下具有较高的激子束缚能(60meV),保证了其在室温下较强的激子发光.此外氧化锌还具有较高的热稳定性和抗化学腐蚀特性,因而被认为是制作紫外半导体激光器的合适材料.自1997年首次发现ZnO室温紫外受激发射以来,ZnO已成为继GaN之后紫外发射材料的又一研究热点.但是,目前对于p型氧化锌及其发光器件的研究仍处于探索阶段,对其光电特性的研究仍需要更多投入.本文利用磁控溅射方法制备出氮氧锌薄膜样品
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