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以SiO2纳米粉和自制的树脂热解炭作原料,用一种新的加热设备--双重加热炉合成了直径在5～30 nm范围内、长径比在50～300之间的碳化硅纳米晶须.用化学分析方法、X射线衍射仪、透射电子显微镜等手段对碳化硅纳米晶须进行了表征.研究结果表明:用双重加热炉合成碳化硅纳米晶须的最佳温度范围为1 250～1 300℃,恒温时间为60～75 min,碳化硅纳米晶须的产率最高可达82%(质量分数)