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介绍了各种化学气相沉积（CVD）碳化硅（SiC）先驱体的性质，比较了其沉积过程和沉积产物的差异，并利用HyperChem软件对2，4，6-三甲基-2，4，6-三硅杂庚烷（TMTSH）和甲基三氯硅烷（MTS）2种代表性先驱体的热分解过程进行了计算。结果表明：TMTSH结构中的Si-C键和Si-H键易断裂，分解为小分子自由基或者原子，能够在较低的温度下沉积得到SiC，且沉积速率和沉积效率较高，副产物随时间的变化而有所不同；MTS分子中的G-H键和Si-Cl键的键能都较大，反应所需的活化能较高，只有在较高的温度