【摘 要】
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本文用X射线衍射（XRD）方法、俄歇电子能谱（AES）分析和电学测量方法研究了Ti/Si、Ni/Si和Cr/Si三种结构的金属硅化物的形成和特性。用电流—电压法和电容—电压法测量分析了TiSi2/
【机 构】
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北京大学微电子学研究所; 北京电力电子研究开发中心; 北京大学微电子学研究所;
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本文用X射线衍射（XRD）方法、俄歇电子能谱（AES）分析和电学测量方法研究了Ti/Si、Ni/Si和Cr/Si三种结构的金属硅化物的形成和特性。用电流—电压法和电容—电压法测量分析了TiSi2/n-Si、Nix/n-Si和CrSi2/n-Si三种肖特基势垒二极管特性,其势垒高度分别为0.61eV、0.66eV和0.66eV,理想因子均接近1。用此项技术制作的金属硅化物—n型硅肖特基功率二极管有优异的电学性能。
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