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为了生长制作器件所需的外延片，采用低压金属有机物化学气相沉积方法在半绝缘InP衬底上生长了InP／InGaAs异质结双极晶体管(HBT)结构、1．55μm多量子阱激光二极管以及两者集成的光发射光电集成电路材料结构．激光器结构的生长温度为655℃，有源区为5个周期的InGaAsP／InGaAsP多量子阱(阱区λ=1．6μm，垒区λ=1．28μm)；HBT结构则采用550℃低温生长，其中基区采用Zn掺杂，掺杂浓度约为2×10^19cm^-3，对生长的各种结构分别进行了X射线双晶衍射，光致发光谱和二次