合金纳米线电子输运性质的理论计算研究

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采用分子动力学模拟纳米管中合金纳米线的结构演化以及纳米线电学特性的变化规律。量子效应导致纳米线的电流电压曲线呈现出非线性特点,且在低电压区会出现电导隙,其宽度是由最高分子占据轨道和最低分子未被占据轨道的差值决定。锡原子的掺杂削弱了原本硅锗合金材料内的电子穿透能力,当锡原子数目占整条纳米线原子数的百分之十甚至更多时,由于库仑阻塞效应,在电流电压曲线图的低电压区,电流随电压的变化甚微;当硅锗锡三者原子比例相同时,纳米线的库仑阻塞效应尤为明显。由于隧穿共振效应,电导随电压的增大出现许多共振峰,并且共振峰的数量也
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