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硅基雪崩光电探测器（Si-APD）性能参数的研究可以优化改进器件结构的设计，而结构设计直接影响雪崩光电探测器的光电特性。本文针对Si基雪崩光电探测器的性能参数和器件结构进行研究，提出了改善器件性能参数的工艺方法，最终设计了一种硅基雪崩光电探测器结构。
一种硅基雪崩光电探测器的研究
【摘 要】
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硅基雪崩光电探测器（Si-APD）性能参数的研究可以优化改进器件结构的设计，而结构设计直接影响雪崩光电探测器的光电特性。本文针对Si基雪崩光电探测器的性能参数和器件结构进行研
【机 构】
：
重庆邮电大学光电工程学院
【出 处】
：
数字技术与应用
【发表日期】
：
2014年1期
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