【摘 要】
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为了解决阵列中每个发光点性能分布不均的问题,研究了微通道水冷封装的960 nm半导体激光器阵列,阵列包含38个发光点,腔长为2 mm,在驱动电流为600 A、占空比为10％的条件下,输出
【机 构】
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中国科学院西安光学精密机械研究所 瞬态光学与光子技术国家重点实验室,西安 710119;中国科学院大学,北京 100049;中国科学院西安光学精密机械研究所 瞬态光学与光子技术国家重点实验室,西安 7
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为了解决阵列中每个发光点性能分布不均的问题,研究了微通道水冷封装的960 nm半导体激光器阵列,阵列包含38个发光点,腔长为2 mm,在驱动电流为600 A、占空比为10％的条件下,输出的峰值功率达到665.6 W,电光转换效率为63.8％,中心波长为959.5 nm.通过对应力的理论分析,给出了各个发光点应变的表达式;通过搭建单点测试系统获得阵列中每个发光点的阈值电流、斜率效率、光谱和功率等光电特性;结合应变理论分析可知,器件中发光点的性能与应变大小和类型密切相关,压应变会导致器件波长蓝移、阈值电流降低、功率和斜率效率升高,张应变会导致波长红移、阈值电流升高、功率和斜率效率降低.研究表明,影响器件内部发光点的性能不仅与热效应有关,而且与封装后残余的应变密切相关,通过应力的分布可以预测阵列性能的变化规律,可为高峰值功率、高可靠性的半导体激光阵列的研制提供参考.
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