【摘 要】
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以步控外延工艺来生长多层膜的方法成功地制成了一种具有高阻断电压的Au/6H-SiC型肖特基势垒二极管。其击穿电压高于1100V,这是碳化硅肖特基势垒二极管迄今报导过的最高电压
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以步控外延工艺来生长多层膜的方法成功地制成了一种具有高阻断电压的Au/6H-SiC型肖特基势垒二极管。其击穿电压高于1100V,这是碳化硅肖特基势垒二极管迄今报导过的最高电压。这类高压SiC整流器的通态电阻率低于硅整流器理论极限值一个数量级以上。该通态电阻率按 T~(2·0)关系随温度升高而增加。这类二极管在400℃时特性良好。
A step-controlled epitaxial process to grow a multi-layer film has been successfully fabricated with a high blocking voltage Au / 6H-SiC Schottky barrier diode. Its breakdown voltage is higher than 1100V, which is the highest voltage reported to date by silicon carbide Schottky barrier diodes. The on-state resistivity of such high-voltage SiC rectifiers is less than an order of magnitude higher than the theoretical limit of silicon rectifiers. The on-state resistivity by T ~ (2.0) increased with increasing temperature. This type of diode has good characteristics at 400 ° C.
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