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根据X光激发电子能谱（XPS）中元素各个态的位置与价带顶、导带底的位置关系，提出了对一个已有唯像模型的修正，由这个修正模型能够利用XPS数据考察异质结的禁带在经历某些过程后是否有变化。将这个方法应用于经历^60Co辐照的Si3N4／SiO2／Si，结果表明：从SiO2到Si存在SiO2禁带的弯曲，而辐照将SiO2禁带变薄；同时，SiO2禁带的变化明显依赖于辐照条件。就实验现象的机制进行了探讨。