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用烧结ＺｎＳ·Ａｇ蓝色荧光粉靶在钇铝柘榴石单昌基片上射频溅射制了ＺｎＳ·Ａｇ蓝色发光薄膜。讨论了基片温度及放电气体中Ｈ２Ｓ的含量对薄膜发光特性的影响。实验表明，基片加热温度应控制在５００℃左右，放电气体中Ｈ２Ｓ含量应控制在０．２％左右，所制得的薄膜具有和Ｐ２２－Ｂ１荧光粉相同的发光光谱。
射频溅射法制取ZnS·Ag发光薄膜
【摘 要】
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用烧结ＺｎＳ·Ａｇ蓝色荧光粉靶在钇铝柘榴石单昌基片上射频溅射制了ＺｎＳ·Ａｇ蓝色发光薄膜。讨论了基片温度及放电气体中Ｈ２Ｓ的含量对薄膜发光特性的影响。实验表明，基片加热温度应控制在
【机 构】
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电子科技大学光电子技术系
【出 处】
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真空科学与技术
【发表日期】
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1999年3期
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