【摘 要】
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近年来,氧化镓（Ga2O3）是新一代超宽禁带（4.9 eV）半导体,基于优越的热稳定和化学稳定性、高击穿场强和可见光透过率等优点,在日盲紫外探测器和透明光电器件领域中引起了广泛的关注.但是,Ga2O3基光电器件存在迁移率较低而限制其应用的现象,而构建合适的Ga2O3异质结是改善光电探测器的光电性能的有效手段之一.基于第一性原理构建β-Ga2O3/BP异质结模型,研究了氧空位（Vo）和Si掺杂对β-
【基金项目】
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内蒙古自治区自然科学基金（2023LHMS01004）； 内蒙古自治区教育厅自然科学项目（NJZY22376）； 内蒙古工业大学教学改革项目（2022241）；
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近年来,氧化镓（Ga2O3）是新一代超宽禁带（4.9 eV）半导体,基于优越的热稳定和化学稳定性、高击穿场强和可见光透过率等优点,在日盲紫外探测器和透明光电器件领域中引起了广泛的关注.但是,Ga2O3基光电器件存在迁移率较低而限制其应用的现象,而构建合适的Ga2O3异质结是改善光电探测器的光电性能的有效手段之一.基于第一性原理构建β-Ga2O3/BP异质结模型,研究了氧空位（Vo）和Si掺杂对β-Ga2O3/BP异质结光电性质的调控以及相关机理.结果显示:β-Ga2O3/BP异质结结构有效降低β-Ga2O3功函数,提高灵敏度,Si掺杂降低结合能,增强稳定性;β-Ga2O3/BP异质结有效减小带隙,Si掺杂以及氧空位的存在,进一步减小带隙,增强光导电性,并且Si掺杂引起了光电导各向异性.此结果对改善Ga2O3 基异质结光电性能提供理论参考.
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采用射频磁控共溅射法在叉指电极上制备了ZnO/SnO2 n-n异质结复合薄膜，系统测试了其气敏特性，并分析了其气敏机理。结果表明，与ZnO薄膜和SnO2薄膜气体传感器相比，ZnO/SnO2异质结薄膜气体传感器具有更低的工作温度、更高的灵敏度以及更快的响应和恢复速度。ZnO/SnO2异质结薄膜气体传感器对乙醇具有较好的选择性，最低检测体积分数为1×10-6,最佳工作温度为250℃;对1×10-4乙醇
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