Si调制掺杂AlGaN/GaN异质结磁阻拍频现象

来源 :物理学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：zhanggh20060363

【摘要】

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在低温(1.5K-25K)和强磁场(0-10T)条件下,对二维电子气占据两个子带的Si调制掺杂A1GaN/GaN异质结构进行磁输运测量.在一定温度范围内观察到磁阻拍频现象.根据Sander等人和Rai

【作者】

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姚炜仇志军桂永胜郑泽伟吕捷唐宁沈波褚君浩

【机构】

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中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海,200083南京大学物理系,南京,210093;

【出处】

：

物理学报

【发表日期】

：

2005年5期

【关键词】

：

AlGaN/GaN异质结构 SdH振荡磁致子带间散射磁阻拍频

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在低温(1.5K-25K)和强磁场(0-10T)条件下,对二维电子气占据两个子带的Si调制掺杂A1GaN/GaN异质结构进行磁输运测量.在一定温度范围内观察到磁阻拍频现象.根据Sander等人和Raikh等人给出的磁阻振荡的具体表达式,拟合实验结果表明磁阻拍频是由第一子带SdH振荡和磁致子带间散射引起的磁阻振荡导致的.

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