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应用磁镜像法和快速傅立叶变换(FFT)法对单片微波集成电路(MMIC)的薄膜平面射频集成电感器进行了电磁学模拟,并把模拟结果和有限元法(FEM)模拟的结果[1]进行了比较.根据模拟结果,对薄膜平面射频集成电感器结构参数和加工参数进行了优化,改进了薄膜平面射频集成电感器的工艺方案.最后结合薄膜平面射频集成电感器薄膜的高频损耗分析,讨论了平面薄膜集成电感器薄膜微细加工技术.