【摘 要】
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据(NIKKEI ELECTRONICS》1993年第12-20期报道,日本松下电器公司光半导体研究所开发了在面发光型激光器上堆积晶体管的新型器件。该器件的结构是在 GaAs 衬底上生长 p 型 Ga
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据(NIKKEI ELECTRONICS》1993年第12-20期报道,日本松下电器公司光半导体研究所开发了在面发光型激光器上堆积晶体管的新型器件。该器件的结构是在 GaAs 衬底上生长 p 型 GaAs/AlAs 多层反射膜,InGaAs/GaAs 单一量子阱激活层,n 型 GaAs/AlAs 多层反射膜和 GaAs 异质结双极晶体管。激光由衬底下发出,激光器的阴极与晶体管的集电极
According to (NIKKEI ELECTRONICS "No. 12-20 1993 reported that Japan’s Matsushita Electric Co., Ltd. Institute for the development of the semiconductor light-emitting surface-emitting laser stacked transistors on the new device is the structure of the device is grown on GaAs p-type GaAs substrate / AlAs multilayer reflective film, an InGaAs / GaAs single quantum well active layer, an n-type GaAs / AlAs multilayer reflective film and a GaAs heterojunction bipolar transistor. The laser is emitted under the substrate, the cathode of the laser and the collector of the transistor
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