论文部分内容阅读
采用N,N′-二正辛烷基-3,4,9,10-苝四甲酰二亚胺(PTCDI-C8)对钙钛矿电池电子传输层(PCBM)进行界面修饰以减少PCBM与Al电极之间的漏电流,提高阴极的电子收集效率。通过调节PTCDI-C8薄膜的厚度优化界面接触和电子传输性能。实验结果表明:当PTCDI-C8薄膜的厚度为20nm时得到的器件性能最优。光电转换效率(PCE)由5.26%提高到了8.65%,开路电压(Voc)为0.92V,短路电流(Jsc)为15.68mA/cm2,填充因子(FF)为60%。PTCDI-C8能够有效阻挡空穴