【摘 要】
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本文叙述的固体微波放大器所用的基本元件是肖特基势垒场效应晶体管,称为金属—半导体场效应晶体管(MESFET),在高达12千兆赫的频率下具有稳定功率增益。本文主要讨论了 G 波
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本文叙述的固体微波放大器所用的基本元件是肖特基势垒场效应晶体管,称为金属—半导体场效应晶体管(MESFET),在高达12千兆赫的频率下具有稳定功率增益。本文主要讨论了 G 波段放大器的电路分析、设计参数和测试结果。
The basic component used in the solid-state microwave amplifier described in this article is a Schottky barrier field-effect transistor, called a metal-semiconductor field-effect transistor (MESFET), with stable power gain at frequencies up to 12 gigahertz. This article focuses on the G-band amplifier circuit analysis, design parameters and test results.
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