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GaN具有禁带宽、热导率高、电子饱和漂移速度大和介电常数小等特点,在高亮度发光二极管、短波长激光二极管、高性能紫外探测器和高温、高频、大功率半导体器件等领域有着广泛的应用前景.本文介绍了GaN基半导体材料的制备方法,异质结构以及在光电子和微电子器件领域的应用,并讨论了今后的发展趋势.
GaN基材料生长及其在光电器件领域的应用
【摘 要】
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GaN具有禁带宽、热导率高、电子饱和漂移速度大和介电常数小等特点,在高亮度发光二极管、短波长激光二极管、高性能紫外探测器和高温、高频、大功率半导体器件等领域有着广泛
【机 构】
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大连理工大学三束材料改性国家重点实验室
【出 处】
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电子器件
【发表日期】
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2002年1期
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