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利用ＭＢＥ方法在（００１）ＧａＡｓ衬底上生长了多层竖直自对准ＩｎＡｓ量子点结构，透射电子显微镜的观察表明，多层量子点成一系列柱状分布。同单层量子点相比，多层量子蹼的光荧光谱线发生红移。这表明由于量子点中载流子波函数的扩展和交迭，柱中量子点之间有耦合现象发生，光荧光谱线半高随温度的反常变化说明载流子还会在邻近柱中隧穿。