【摘 要】
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本文叙述了 X—射线衍的基本原理。用粉未德拜照相法及衍射仪法测定了Si、GaAs、GaP 及 ZnSe 几种半导体材料的晶格常数。对两种测量方法的精确度进行了比较。文中还介绍了 X
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本文叙述了 X—射线衍的基本原理。用粉未德拜照相法及衍射仪法测定了Si、GaAs、GaP 及 ZnSe 几种半导体材料的晶格常数。对两种测量方法的精确度进行了比较。文中还介绍了 X—射线在半导体领域中的一些应用。
This article describes the basic principles of X-ray diffraction. The lattice constants of several semiconductor materials such as Si, GaAs, GaP and ZnSe were measured by powder undead method and diffraction method. The accuracy of the two measurement methods were compared. The article also describes some of the applications of X-rays in the semiconductor field.
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