【摘 要】
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具有一定能量的光照导致低温绝缘二氧化钒（VO2）发生绝缘体金属转变.本文通过密度泛函理论的Heyd-Scuseria-Ernzerhof杂化泛函方法对含氧空穴的低温绝缘VO2非磁M1相进行第一性原
【机 构】
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江苏科技大学张家港校区,南京大学物理学院固体微结构国家实验室
【基金项目】
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国家自然科学基金批准号，江苏科技大学博士科研启动项目（批准号：JKD120114001）资助的课题.
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具有一定能量的光照导致低温绝缘二氧化钒（VO2）发生绝缘体金属转变.本文通过密度泛函理论的Heyd-Scuseria-Ernzerhof杂化泛函方法对含氧空穴的低温绝缘VO2非磁M1相进行第一性原理研究.研究发现,含氧空穴的M1的晶格参数几乎不变,但氧空穴附近的长的V—V键长却变短了.进一步研究发现,尽管纯的非磁M1的带隙是0.68 eV,但含O1和O2位的氧空穴非磁M1带隙分别为0.23 eV和0.20 eV,同时含有O1和O2位氧空穴非磁M1带隙为0.15 eV,这很好地解释了实验结果.
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