【摘 要】
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针对衬底辅助耗尽效应降低常规super junction LDMOS（SJ-LDMOS）击穿电压的不足，提出了一种新的具有部分n埋层的高压SJ-LDMOS器件结构．通过该部分n埋层，不仅补偿了由于衬底辅助效应
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目（批准号：60436030,60576052）
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针对衬底辅助耗尽效应降低常规super junction LDMOS（SJ-LDMOS）击穿电压的不足，提出了一种新的具有部分n埋层的高压SJ-LDMOS器件结构．通过该部分n埋层，不仅补偿了由于衬底辅助效应所致的电荷不平衡现象，实现了高的击穿电压，而且该埋层在器件正向导通时为电流提供了辅助通道，减小了器件导通电阻．分析了器件结构参数和参杂对器件击穿电压和导通电阻的影响，结果表明文中所提出的新结构具有高的击穿电压、低的导通电阻以及较好的工艺容差等特性．此外，该结构与智能功率集成技术兼容．
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