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室温下采用射频(RF)反应磁控溅射技术在玻璃衬底上沉积具有(002)择优取向的透明导电Al掺杂ZnO(AZO)薄膜。XRD结果表明,制备的AZO薄膜为多晶,具有c轴择优取向。退火处理能提高其结晶度。在Al靶射频功率为40W,ZnO靶射频功率为250 W,氩气流量为15 mL/min的条件下,获得200 nm厚的薄膜电阻率约3.8×10-3 Ω·cm,在可见光范围内有很好的光透过率。