【摘 要】
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采用电子束蒸发法在硅衬底或BaTiO3陶瓷基片上沉积了Ga2O3:Mn电致发光膜,并进行了不同温度热处理,制备了电致发光器件.用X射线衍射(XRD)分析了Ga2O3:Mn薄膜晶体结构;用荧光分
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采用电子束蒸发法在硅衬底或BaTiO3陶瓷基片上沉积了Ga2O3:Mn电致发光膜,并进行了不同温度热处理,制备了电致发光器件.用X射线衍射(XRD)分析了Ga2O3:Mn薄膜晶体结构;用荧光分光光度计测试了电致发光器件的发射光谱.研究了Ga2O3:Mn薄膜的晶体结构与其光谱特性之间的关系.实验结果表明,Ga2O3:Mn薄膜结晶度随热处理温度的提高而提高,且晶体结构和结晶取向也随之改变;经500 ℃热处理的Ga2O3:Mn薄膜电致发光器件发绿光,其光谱主峰分布在495～535 nm之间,且随驱动电压增高,谱
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