【摘 要】
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采用0.5μm GaAs PHEMT工艺设计了两款工作于1~4 GHz的数字衰减器。一款为选择式衰减器,衰减量0.5 dB和15 dB,插入损耗≤1 dB,所有衰减状态的输入输出驻波比≤1.7;另外一款为
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采用0.5μm GaAs PHEMT工艺设计了两款工作于1~4 GHz的数字衰减器。一款为选择式衰减器,衰减量0.5 dB和15 dB,插入损耗≤1 dB,所有衰减状态的输入输出驻波比≤1.7;另外一款为3 bit数字衰减器,衰减步进0.8 dB,最大衰减量5.6 dB,插入损耗≤1 dB,所有衰减状态的输入输出驻波比≤1.8,相对于参考态,衰减态的插入相移在-3°-2°之间。
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