【摘 要】
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我们设计研制了一个基于Al GaN/GaN HEMT大功率放大器的混合集成电路.这个电路包含了1个10×120μm的HEMT晶体管,以及输入和输出匹配电路.在偏置条件为Vds=40 V,Ids=0.26
【机 构】
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中国科学院微电子研究所微波器件与电路研究室,四川龙瑞微电子有限公司,中国科学院半导体研究所
【基金项目】
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国家重点基础研究发展计划资助（2002CB311903）,中国科学院重点创新资助（KGCX2-SW-107）
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我们设计研制了一个基于Al GaN/GaN HEMT大功率放大器的混合集成电路.这个电路包含了1个10×120μm的HEMT晶体管,以及输入和输出匹配电路.在偏置条件为Vds=40 V,Ids=0.26 A时,输出连续波饱和功率在5.4 GHz达到37 dBm（5 W）,最大的PAE为35.6%.在偏置条件为Vds=30 V,Ids=0.22 A时输出连续波饱和功率在5.4 GHz达到36.4dBm（4.4 W）,最大的PAE为42.7%.
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