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本文较系统地评述了 MOCVD 或 MBE 实现以 Si 为衬底 GaAs 异质外延工艺,及其在半导体激光器中应用的研究进展。叙述了以 Si 为衬底异质外延的工艺关键,使用 GaAs/Si 材料制备激光器的发展水平,降低外延层中位错密度和应力可能的方法。最后,介绍了该技术及其用于制备高性能激光器的发展动向。