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研究和分析了高辐射GaAlAs/GaAs LED的退化机理。经高温加速老化,估算器件的工作寿命为10~5小时,并估算该器件的激活能为0.58eV。
GaAIAs/GaAs正面发光管的失效机理研究
【摘 要】
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研究和分析了高辐射GaAlAs/GaAs LED的退化机理。经高温加速老化,估算器件的工作寿命为10~5小时,并估算该器件的激活能为0.58eV。
【机 构】
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重庆光电技术研究所重庆永川632163
【出 处】
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半导体光电
【发表日期】
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1991年2期
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