【摘 要】
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通过运用Si3N4和SiO3作掩膜，采用各向同性和各向异性腐蚀液，利用硅的腐蚀自停止特性，实现了硅梁的纳米宽度控制，同时利用多次氧化在SOI材料上实现了纳米厚度控制，最终成功批量制作
【机 构】
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中国科学院上海微系统与信息技术研究所,中国科学院研究生院
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通过运用Si3N4和SiO3作掩膜，采用各向同性和各向异性腐蚀液，利用硅的腐蚀自停止特性，实现了硅梁的纳米宽度控制，同时利用多次氧化在SOI材料上实现了纳米厚度控制，最终成功批量制作了硅纳米线．扫描电镜观测表明，制备的纳米线厚度和宽度都可严格控制在100nm以下，最细的纳米线宽度可以达到20nm．同批样品的宽度变化范围在20％以内．大气中对其电学特性测量表明，剥离了表面氧化层的纳米线的电阻会随放置时间的增长而逐渐增大．进一步实验分析发现水分吸附在其电阻变化中起了重要的作用．
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