【摘 要】
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The morphous silicon films prepared by PECVD at substrate temperatures of 30℃ have been crystallized by rapid thermal annealing method, the budget of time-
【出 处】
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Semiconductor Photonics and Technology
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The morphous silicon films prepared by PECVD at substrate temperatures of 30℃ have been crystallized by rapid thermal annealing method, the budget of time-temperature in the annealing process is 600℃ for 120s, 850℃ for 120s, and 950℃ for 120s. The results indicate the crystallization at 850℃ and 950℃ are better as shown in micro-Raman scattering and scanning electronic microscope.
The morphous silicon films prepared by PECVD at substrate temperatures of 30 ° C have been crystallized by rapid thermal annealing method, the budget of time-temperature in the annealing process is 600 ° C for 120 ° s, 850 ° C for 120 ° s, and 950 ° C for 120 ° s. The results indicate the crystallization at 850 ° C and 950 ° C are better as shown in micro-Raman scattering and scanning electronic microscope.
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