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研究了在高阻硅衬底上Al／AlOx／Al隧道结的制备技术，采用电子束蒸发制备Al／AlOx／Al三层材料，湿法刻蚀制备底电极和上电极以及电路连线，PECVD法生长绝缘层（SiO2）保护超导隧道结，RIE刻蚀上电极窗口。在400mK温度下测量了Al／AlOx／Al隧道结样品，得到了较好的隧道结I-V曲线，能隙电压增为0．325mV，超导临界电流Ic为55nA，漏电流为5nA。