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对利用In含量为0．3的InGaN／GaN多量子阱制作的InGaN太阳电池的结构和光电性能进行了研究，该太阳电池的InGaN／GaN多量子阱结构在一定程度上减轻了InN和GaN相分离现象．研究结果显示，InGaN／GaN多量子阱结构的太阳电池，在单色光波长大于420nm的工作条件下的光电性能有明显的改善．利用InGaN／GaN多量子阱结构制作的InGaN太阳电池，其开路电压约为2.0V，填充因子约为60％，在波长420nm时，外量子效率为40％，但在波长450nm时，却只有10％．