双极器件和MOS LSI的本征吸杂研究

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为了寻找一种有效而又可靠的吸杂技术,研究了一种采用HCl氧化的三步预热处理工艺方法。在这种方法中,氧化引起的体内堆垛层错起看吸杂中心的作用。利用HCl本征吸杂,可以完全去除外延堆垛层错,降低高速双极器件的结漏失效。本文提出的HCl本征吸杂技术应用在MOS图象传感器和动态RAM中,可以改善它们的产品性能。 In order to find an effective and reliable gettering technique, a three-step preheat treatment method using HCl oxidation was studied. In this method, the in vivo stacking layers caused by oxidation are staggered to see the role of the gettering center. The use of HCI intrinsic gettering can completely remove the epitaxial stacking faults and reduce the junction leakage failure of high-speed bipolar devices. The proposed HCI intrinsic gettering technique is used in MOS image sensors and dynamic RAMs to improve their product performance.
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