水平法生长GaSb单晶的研究

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户：huang267321

【摘要】

：

本文采用独特的工艺和装置,用水平法研制GaSb单晶.已获得不掺杂p型晶体,室温下其载流子浓度和迁移率分别为1.0～1.7×10~(17)cm~(-3)和630～780cm~2/V·s;渗Te的n型单晶

【作者】

：

余海生蒋玉兰胡建廖丽英

【机构】

：

中国科学院上海冶金研究所,中国科学院上海冶金研究所200050,200050,200050

【出处】

：

固体电子学研究与进展

【发表日期】

：

1991年2期

【关键词】

：

GaSb晶体生长水平法

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本文采用独特的工艺和装置,用水平法研制GaSb单晶.已获得不掺杂p型晶体,室温下其载流子浓度和迁移率分别为1.0～1.7×10~(17)cm~(-3)和630～780cm~2/V·s;渗Te的n型单晶两者分别为1.4×10~(18)cm~(-3)和2690cm~2/V·s,成晶率大于50%.本文还探讨了研制过程中存在的几个问题.

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