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利用电化学方法在P型重掺杂单晶硅（100）基体上制备了多孔硅薄膜，通过质量计算法得到多孔硅的孔隙率，并研究了多孔硅孔隙率随腐蚀深度变化的规律。利用显微拉曼光谱技术对多孔硅纵切面上的残余应力进行了测量，结果表明，多孔硅的孔隙率随腐蚀时间／N度的增加有先增加后减少的趋势；多孔硅纵向上存在拉伸残余应力，拉伸应力的分布与纵切面上孔隙率的分布成正比，先增大，再减小；到达多孔硅与基体硅的界面处时，拉伸应力减小为零，靠近硅一侧，转变为压应力；残余应力的最大值出现在临近多孔硅表面以下的区域。这主要与多孔硅制备过程中孔内H