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IBM宣布已制成32nm SOI嵌入式DRAM测试芯片，并称该芯片是半导体业界面积最小、密度最高、速度最快的片上动态存储器。IBM表示，使用SOI技术可使芯片性能提高30％，功耗降低40％，和32nm、22nm的片上SRAM相比，具有更理想的密度和速度。
IBM制成32nm SOI嵌入式DRAM
【摘 要】
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IBM宣布已制成32nm SOI嵌入式DRAM测试芯片，并称该芯片是半导体业界面积最小、密度最高、速度最快的片上动态存储器。IBM表示，使用SOI技术可使芯片性能提高30％，功耗降低40％，和32nm
【出 处】
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中国集成电路
【发表日期】
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2009年10期
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