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用电化学腐蚀法制备了多孔硅(PS)，在氢等离子体气氛中不同温度下对多孔硅样品进行了退火处理，并进行了光致发光(PL)谱和原子力显微镜(AFM)表面形貌的测量。不同退火温度给PS表面形态带来较大变化，也影响了其PL谱特性。在退火的样品中观察到的PL谱高效蓝光和紫光谱带，我们认为主要源于量子限制发光峰和非平衡载流子被带隙中浅杂质能级所俘获而引起的辐射复合所产生的。在420—450℃退火处理的多孔硅的PL谱上观察到了一个未见诸于报道的紫光新谱带(3．24eV，382nm)，其发光机理有待于进一步研究。